“小晶体”实现大作为
近日，记者走进山东国晶电子科技有限责任公司位于东营高新技术产业开发区的无尘化车间，看到工人正在有条不紊地操作一台大型机器。“别看机器大，研发工作却十分精细，为的是一种小晶体。”公司董事长袁占魁告诉记者。
袁占魁口中的“小晶体”指的是碳化硅（SiC），是一种硬度仅次于金刚石的半导体。“晶体虽小，本领可不小。”袁占魁介绍，碳化硅功率器件具有高耐压、低损耗、高导热率等优异性能，可以有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化，是新能源汽车、5G通讯、智能电网等未来支柱产业必不可少的核心半导体原料。
“晶体虽好，但要打破国外的垄断很不容易。”袁占魁说，掌握成熟工艺的少数国家一直实施严格的科技壁垒政策，想要在竞争中取胜，自主研发是唯一的制胜法门。
成立于2018年的国晶电子，从事第三代半导体高纯碳化硅微粉生产、碳化硅单晶炉的研发制造，“我们的成长速度很快，目前，已能自主研发制造5N碳化硅微粉和6英寸双坩埚碳化硅单晶炉，一台单晶炉可同时生长两个晶体，填补了国内产业链关键设备的空白。”袁占魁感慨地说，“这中间政府没少给我们帮忙！”
2018年5月，国晶电子第三代半导体晶体材料的项目建设之初，东营区相关部门第一时间组织专家团队进行考察、论证，在此基础上，对项目的市场需求、未来发展等提出了指导意见。“东营区政府全力以赴帮助我们发展，以注资参股的形式加入，并承诺企业发展成熟后退出。在建设厂房、手续审批、融资上市等各个环节进行全方位服务。因此，我们才能把主要精力都放在研发上。不然，现在可能还在项目的前期建设中，政府的帮助为我们争取到一年多的研发时间。”对高科技来说，时间就是关键，这一年多的时间也让国晶电子掌握了竞争的主动权。目前的国晶电子，仅用了不到一年时间就建成了一条5N高纯碳化硅微粉生产线和6英寸碳化硅单晶生长研发中心，打破了国外的技术垄断。
“因为长晶周期是七天，期间电不能断，否则将造成不可估量的损失。政府知道后，用了不到一个月就协调安装了双回路电源。”袁占魁说。
展望未来，袁占魁信心满满：“有了政府的保驾护航，我们要努力让‘小晶体’实现一番大作为。我们计划未来2年内建成年产100吨高纯度5N碳化硅单晶原料生产线，年产200台6英寸碳化硅单晶炉设备制造生产线，届时将实现年产值5亿元、利税1.5亿元。”
记者感言：
碳化硅被称为“关键战略材料”，掌握研发技术，受益的不仅仅是一家企业，更将影响我国在国际上的科技话语权。面对当下换道超车、重塑世界半导体产业格局的重要时间窗口，国晶电子是幸运的。它获得了政府实实在在的帮助，大大缩短了运行周期，争取到了以年为单位的研发时间。政策惠企，要从点滴做起。让好政策能落地生根，帮助企业加速成长，可能正是从政府多操心企业少跑腿开始的。（记者 商雅雯）
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