宽禁带半导体小镇设计方案出炉西城未来打造全球领先产业高地

本报讯 从市自然资源和规划局了解到，济南宽禁带半导体小镇（起步区）一期建设工程设计方案确定，西城未来将打造全球领先的产业高地。

该项目位于槐荫区腊山河西路以东、美里路以南，性质为工业用地，总建筑面积为107201.79平方米，其中地上建筑面积8026.59平方米，容积率2.7，地下建筑面积26955.20平方米，容积率0.91。相关资料显示，小镇建筑密度为35.06%，绿地率15%，停车位803个，规划建设一个16层厂房、一个20层厂房、3层定制厂房以及15层专家公寓等。济南宽禁带半导体产业小镇被省市列入新旧动能转换产业布局，小镇总占地面积约4900亩，将分“科技创新孵化区”“产业先进智造区”和“半导体生态科技城”三大功能区，打造宽禁带半导体产业技术领先高地。

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