新金属芯片提高存储速度百倍

陕西科技报 2020-07-08 09:07 大字

据英国《自然·物理学》杂志近日发表的一项研究,一个美国联合研究团队利用层状二碲化钨制成了二维(2D)金属芯片,其厚度仅三个原子!在更节能的同时,储存速度提高了100倍之多。与现有的基于硅的数据存储系统相比,新系统可以将更多的数据填充到极小的物理空间中,并且非常节能。

(张梦然)

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