我国科学家开创第三类存储技术写入速度比Ｕ盘快一万倍
10秒内准确建构人体体形及尺寸我国科学家开创第三类存储技术国务院新组建部门和单位陆续挂牌游客驾车驶入大理洱海拍照台湾正式步入“高龄社会”国内首艘江海直达船完成首航哈尔滨市99人被问责
2018年04月11日 星期三 首页上一期 下一期版面导航 标题导航 版面概览3 上一篇 下一篇 4
放大 
缩小 
默认
我国科学家开创第三类存储技术
写入速度比Ｕ盘快一万倍
近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，写入速度比目前Ｕ盘快一万倍，数据存储时间也可自行决定。这解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。
北京时间4月10日，相关成果在线发表于《自然·纳米技术》杂志。
据了解，目前半导体电荷存储技术主要有两类，第一类是易失性存储，例如计算机中的内存，掉电后数据会立即消失；第二类是非易失性存储，例如人们常用的Ｕ盘，在写入数据后无需额外能量可保存10年。前者可在几纳秒左右写入数据，第二类电荷存储技术需要几微秒到几十微秒才能把数据保存下来。
此次研发的新型电荷存储技术，既满足了10纳秒写入数据速度，又实现了按需定制（10秒－10年）的可调控数据准非易失特性。这种全新特性不仅在高速内存中可以极大降低存储功耗，同时能实现数据有效期截止后自然消失，在特殊应用场景解决了保密性和传输的矛盾。
这项研究创新性地选择多重二维材料堆叠构成了半浮栅结构晶体管：二硫化钼、二硒化钨、二硫化铪分别用于开关电荷输运和储存，氮化硼作为隧穿层，制成阶梯能谷结构的范德瓦尔斯异质结。
“选择这几种二维材料，将充分发挥二维材料的丰富能带特性。一部分如同一道可随手开关的门，电子易进难出；另一部分像一面密不透风的墙，电子难以进出。对‘写入速度\’与‘非易失性\’的调控，就在于这两部分的比例。”周鹏说。
写入速度比目前 Ｕ 盘快一万倍，数据刷新时间是内存技术的156倍，并且拥有卓越的调控性，可以实现按照数据有效时间需求设计存储器结构……经过测试，研究人员发现这种基于全二维材料的新型异质结能够实现全新的第三类存储特性。
科研人员称，基于二维半导体的准非易失性存储器可在大尺度合成技术基础上实现高密度集成，将在极低功耗高速存储、数据有效期自由度利用等多领域发挥重要作用。
这项科学突破由复旦大学科研团队独立完成，复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室为唯一单位。该项工作得到国家自然科学基金优秀青年项目和重点研究项目的支持。
据新华社
新闻推荐
榆钱树在城里少见，三月里到乡村走一走，便见到了它。我生长在农村，对乡里的柳树、杨树、梧桐、榆树还是很有感情的。小时候跟着大哥哥大姐姐们学爬树，爬的最多的是榆钱树。为什么喜欢爬榆钱树呢？一是因...